Toshiba Lancar MOSFET Kuasa Saluran-N 80V Menggunakan Proses Generasi Terbaharu untuk Meningkatkan Kecekapan di Pusat Data AI

KAWASAKI, Jepun, 1 Julai (Bernama) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah melancarkan “ TPM1R408RH,” MOSFET kuasa saluran-N 80V yang dihasilkan menggunakan U-MOS11-H, proses generasi terbaharu Toshiba[1]. MOSFET itu menyasarkan aplikasi seperti bekalan kuasa mod pensuisan untuk peralatan perindustrian yang digunakan di pusat data AI dan stesen pangkalan komunikasi. Penghantaran bermula hari ini.

Perkembangan berterusan dalam pemprosesan AI telah meningkatkan permintaan kuasa di pusat data, manakala kemajuan dalam infrastruktur komunikasi turut memperhebat keperluan terhadap kecekapan lebih tinggi, saiz lebih kecil (ketumpatan kuasa lebih tinggi) dan gangguan elektromagnet (EMI) lebih rendah dalam bekalan kuasa mod pensuisan. Memandangkan kehilangan kuasa secara langsung mempengaruhi penggunaan kuasa sistem, penjanaan haba dan beban penyejukan, penggunaan semikonduktor kuasa dengan ciri yang menyokong pengurangan seimbang dalam kehilangan pengaliran dan pensuisan adalah penting, selain menyumbang kepada pengoptimuman keseluruhan sistem, termasuk penindasan EMI yang dipertingkatkan, reka bentuk terma dan kemudahan pemasangan.